二极管的特性,二极管的特性及应用

大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于二极管的特性的问题，于是小编就整理了4个相关介绍二极管的特性的解答，让我们一起看看吧。

1. 二极管有哪些特性？
2. 二极管的特性曲线概念？
3. 初中二极管特性？
4. 二极管特性产生原因？

二极管有哪些特性？

二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。 晶体二极管，简称二极管(diode);它只往一个方向传送电流的电子零件。它是一种具有1个零件号接合的2个端子的器件，具有按照外加电压的方向，使电流流动或不流动的性质。

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。

当不存在外加电压时，由于PN 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。

二极管的特性曲线概念？

1、半导二极管的伏安特性是指流过半导二极管的电流随半导二极管两端电压的变化特性，半导二极管的伏安特性曲线是指反映该变化特性的曲线

2、通过二极管的电压降为横坐标，通过二极管的电流为纵坐标，经过绘制后出来的图像就是所求的二极管的伏安特性曲线图

初中二极管特性？

1、正向特性

　　当加在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通，处于“截止”状态，当正向电压超过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。

　　2、反向特性

　　二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段）。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。

　　3、击穿特性

二极管特性产生原因？

二极管的反向特性：在电路中，二极管负极接在高电位端，正极接在低电位端时，此时的二极管处在截止状态，是没有电流流过的（灯泡不亮），这种连接方式我们称之为反向偏置。

在正向电压作用下，当正向电压较小时，电流微弱，而在超过特定数值时（硅管为0.5V，锗管为0.1V）电流会急速上涨增大，作为习惯，很多人喜欢将正向电压锗二极管的电压设置小于0.1V，硅二极管的电压小于0.5V，这种情况是死亡电压状态。

二极管的特性主要分为以下几大类：1.正向性 2.反向性 3.反向击穿

1.正向性

外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。

2.反向性

外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。

3.反向击穿

反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。

在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。

另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结永久性损坏。

到此，以上就是小编对于二极管的特性的问题就介绍到这了，希望介绍关于二极管的特性的4点解答对大家有用。